据外媒报导，三星宣告，3nm制程技能现已正式流片。据介绍，三星的3nm制程选用好样本网的是GAA架构，功能优于台积电的3nm FinFET架构。

报导称，三星在3nm制程的流片进展是与新思科技协作完结的，意图在于加快为GAA架构的生产流程供给高度优化的参阅办法。由于三星的3nm制程选用不同于台积电或英特尔所选用的FinFET的架构，而是选用GAA的结构。因而，三星选用了新思科技的Fusion Design Platform。

在技能功能上，GAA架构的晶体管能够供给比FinFET更好的静电特性，可满意某些栅极宽度的需求。而这首要表现在平等尺度结构下，GAA的沟道控制能力得以强化，借此给予尺度进一步微缩供给了可能性。

此次流片是由Synopsys和三星代工厂协作完结的。此前，三星曾在2020年完结3nm工艺的开发，但开发成功并不意味着，不过那并不意味着三星的产品终究进入量产的时刻能够确认。伴随着此次成功流片，三星3nm芯片大规模量产的时刻节点现已正式接近。

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